Mémoire Nand : Intel et Micron passent aux modules 32 Go

La joint-venture opérée par les deux groupes américains a lancé la production de masse de ses modules 32 Go de mémoire Nand, gravés en 34 nm. Ces modules sont destinés à prendre place notamment dans des baladeurs ou des appareils photo numériques, mais aussi et surtout dans des disques SSD.

Basés sur la technologie des cellules multiniveaux, ils sont produits à partir de wafer(*) de 300 nm et devraient trouver leur place dans des périphériques et disques durs à mémoire flash début 2009. Leur finesse de gravure permet d'augmenter considérablement la quantité de données à stocker : selon Micron, ce type de module de 32 Go peut contenir environ 1 000 chansons ou 2 000 photos haute définition.

Malgré un marché de la mémoire Nand en légère contraction côté revenus, ce type de mémoire flash est actuellement l'objet de nombreux développements, tant chez Samsung pour ses disques SSD que chez Sandisk dans l'optique de sa prise en charge en natif dans le futur Windows 7.

(*) Les wafer sont les galettes de silicium sur lesquelles sont gravés les blocs mémoire, ou les circuits intégrés composant les processeurs                               

Par la rédaction, ZDNet France

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